براساس گزارش میل‌آنلاین، تئودور موستاکاس ادعا دارد قطعه نیترید گالیوم را که اپل از آن در ساخت ریزتراشه‌های نیمه‌رسانای خود در آی‌فون، آی‌پد و مک‌بوک ایر استفاده می‌کند، او در سال 1995 اختراع کرده‌است. وی اکنون علاوه بر درخواست برای دریافت خسارت مالی درخواست کرده تا استفاده از محصولات اپل در آمریکا ممنوع شود!
گالیوم نیترید یا GaN ماده‌ای نیمه‌رسانا است که در برابر حرارت و رسانایی گرمایی از مقاومت بالایی برخوردار است. این ماده در برابر ترک‌خوردگی مقاوم است و می‌توان آن را برروی مواد مختلفی مورد استفاده قرار داد.
شکایت علیه شرکت اپل توسط استاد رشته مهندسی و رایانش الکترونیکی در دانشگاه بوستون انجام شده‌است. به گفته وی تعدادی از محصولات متهم از قبیل آی‌فون 5،آی‌پد و مک‌بوک ایر دارای صفحه GaN هستند که اختراع آن قبلا به نام وی به ثبت رسیده‌است. وی از متهم خواسته تا برای دانشگاه بوستون حسابی از تمامی درآمد‌ها،سود و سرمایه‌ای که دراثر تخطی از قانون حق ثبت اختراع به دست آورده تهیه کند و و خسارت ناشی از این زیر پا گذاشتن قانون را به دانشگاه پرداخت کند.
وی همچنین اعلام کرده هرگونه هزینه جانبی و خسارت‌های تکمیلی از جمله هزینه وکیل را باید اپل پرداخت کند. علاوه بر آن این دانشگاه درخواست کرده تا دادگاه اپل را از ساخت، فروش،تبلیغات، توزیع و استفاده از محصولاتی که این قانون را زیر پا گذاشته‌اند، در سرتاسر آمریکا بازدارد.
این استاد دانشگاه ادعا دارد GaN را در سال 1995 اختراع کرده و در نوامبر سال 1997 آن را به ثبت رسانده‌است. وی در سند 738 ثبت اختراع با نام صفحه‌های باریک نیترید گالیوم مونوکریستالی بسیار عایق شیوه خود برای ابداع این صفحات و کاربرد آنها را شرح داده‌است.
